Unsere Einkristall-GeSe-Kristalle (Germaniumselenid) bieten eine garantierte optische, elektronische und strukturelle Anisotropie. GeSe-Kristalle werden in unseren Anlagen mit modernsten Flusszonentechniken entwickelt. Jedes Wachstum dauert fast drei Monate, um Ihnen perfekte Kristalle zu liefern, die keine Halogenide enthalten. Jeder Kristall ist hochkristallin, orientiert in 0001 Richtung und leicht zu exfolieren. Unser Forschungs- und Entwicklungspersonal nimmt Charakterisierungsdatensätze in jedem Probenstück ein, um strukturelle, optische und elektronische Konsistenz zu gewährleisten. Bitte sehen Sie sich auch unsere GeS-, GeSe-, GeTe-, GeAs-, GeP- und Ge-basierten Lösungen an.
GeSe Eigenschaften

Wachstumsmethode wichtig> Fluxzone oder CVT Wachstumsmethode? Kontamination von Halogeniden und Punktfehler in Schichtkristallen sind bekannte Ursache für ihre verminderte elektronische Mobilität, verminderte anisotrope Reaktion, schlechte e-h-Rekombination, geringe PL-Emission und geringere optische Absorption. Die Fluxzone-Technik ist eine halogenidfreie Technik, die zur Synthese von wahren Halbleiterkristallen von vdW verwendet wird. Diese Methode unterscheidet sich von der chemischen Dampftransport-Technik (CVT) in folgender Hinsicht: CVT ist eine schnelle (~2 Wochen) Wachstumsmethode, weist jedoch eine schlechte kristalline Qualität auf und die Defektkonzentration erreicht einen Bereich von 1E11 bis 1E12 cm-2. Im Gegensatz dazu dauert die Flussmethode lange (~ 3 Monate) Wachstumszeit, sorgt aber für eine langsame Kristallisation für eine perfekte Atomstrukturierung und ein reinheitsfreies Kristallwachstum mit einer Defektkonzentration von so niedrig wie 1E9 - 1E10 cm-2. Bei der Überprüfung geben Sie einfach an, welche Art von Wachstumsprozess bevorzugt ist. Sofern nicht anders angegeben, senden 2Dsemiconductors als Standardwahl Fluxzonenkristalle.